Mos晶体管及其形成方法

MOS transistor and formation method thereof

Abstract

一种MOS晶体管及其形成方法,形成MOS晶体管的方法包括:提供半导体衬底;图形化所述半导体衬底,形成凹槽;在所述凹槽的侧壁形成侧墙;氧化所述凹槽底部,在所述凹槽的底部形成氧化层;去除所述侧墙,在所述凹槽内形成半导体材料,覆盖所述氧化层,所述半导体材料的表面与所述半导体衬底的表面相平;在所述半导体材料表面上形成栅极结构,所述栅极结构包括:栅极,位于所述栅极和所述半导体材料表面之间的栅介质层。本发明可以防止漏电流的产生,或者至少可以减小漏电流。而且,形成氧化层的工艺简单,容易控制。

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    CN-101093799-ADecember 26, 2007台湾积体电路制造股份有限公司半导体装置的形成方法

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